MT29E4T08EYHBBG9-3:B Datenblatt
Technische Daten für MT29E4T08EYHBBG9-3:B
Artikelnummer : MT29E4T08EYHBBG9-3:B
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND
Speichergröße : 4Tb (512G x 8)
Taktfrequenz : 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : -
Paket / fall : -
Supplier Device Package : -
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
43362 Stücke
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