MT44K64M18RB-083E:A TR Datenblatt
Technische Daten für MT44K64M18RB-083E:A TR
Artikelnummer : MT44K64M18RB-083E:A TR
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : DRAM
Speichergröße : 1.125Gb (64Mb x 18)
Taktfrequenz : 1200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : 7.5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.28V ~ 1.42V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart : -
Paket / fall : -
Supplier Device Package : -
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
52380 Stücke
Referenzpreis
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