NDB5060L Datenblatt
Technische Daten für NDB5060L
Artikelnummer : NDB5060L
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 5V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 68W (Tc)
Betriebstemperatur : -65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NDB5060L
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
568935 Stücke
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