NDBA100N10BT4H Datenblatt
Technische Daten für NDBA100N10BT4H
Artikelnummer : NDBA100N10BT4H
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.9 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2950pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
21808 Stücke
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