NDD03N50ZT4G Datenblatt
Technische Daten für NDD03N50ZT4G
Artikelnummer : NDD03N50ZT4G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 329pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 58W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NDD03N50ZT4G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
10432 Stücke
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