NDD60N900U1T4G PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3

Technische Daten für NDD60N900U1T4G

Artikelnummer : NDD60N900U1T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 74W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

NDD60N900U1T4G

Interne Teilenummer

AX-NDD60N900U1T4G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

21832 Stücke

Referenzpreis

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