NDDL01N60Z-1G Datenblatt
Technische Daten für NDDL01N60Z-1G
Artikelnummer : NDDL01N60Z-1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 800mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 92pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 26W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : IPAK (TO-251)
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
21640 Stücke
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