NDS0610 Datenblatt
Technische Daten für NDS0610
Artikelnummer : NDS0610
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 79pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NDS0610
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6732035 Stücke
Referenzpreis
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