NDS8852H Datenblatt
Technische Daten für NDS8852H
Artikelnummer : NDS8852H
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.3A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 15V
Leistung max : 1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOIC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NDS8852H
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
26026 Stücke
Referenzpreis
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