NGTB10N60R2DT4G Datenblatt
Technische Daten für NGTB10N60R2DT4G
Artikelnummer : NGTB10N60R2DT4G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 10A 600V DPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 40A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 10A
Leistung max : 72W
Energie wechseln : 412µJ (on), 140µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 53nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 48ns/120ns
Testbedingung : 300V, 10A, 30 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 90ns
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : DPAK
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 10A 600V DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
55368 Stücke
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