NGTB60N65FL2WG Datenblatt
Technische Daten für NGTB60N65FL2WG
Artikelnummer : NGTB60N65FL2WG
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : 650V/60A IGBT FSII
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 240A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 60A
Leistung max : 595W
Energie wechseln : 1.59mJ (on), 660µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 318nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 117ns/265ns
Testbedingung : 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 96ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
650V/60A IGBT FSII
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
47070 Stücke
Referenzpreis
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