NMSD200B01-7 Datenblatt
Technische Daten für NMSD200B01-7
Artikelnummer : NMSD200B01-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 200mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-363
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NMSD200B01-7
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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