NP20P06SLG-E1-AY Datenblatt
Technische Daten für NP20P06SLG-E1-AY
Artikelnummer : NP20P06SLG-E1-AY
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 20A TO-252
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1650pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.2W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252 (MP-3ZK)
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 20A TO-252
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
12632 Stücke
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