NTB18N06LG Datenblatt
Technische Daten für NTB18N06LG
Artikelnummer : NTB18N06LG
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 7.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 48.4W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NTB18N06LG
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9270 Stücke
Referenzpreis
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