NTD4815N-35G Datenblatt
Technische Daten für NTD4815N-35G
Artikelnummer : NTD4815N-35G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14.1nC @ 11.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 12V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NTD4815N-35G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
599495 Stücke
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