NTD4979N-35G Datenblatt
Technische Daten für NTD4979N-35G
Artikelnummer : NTD4979N-35G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.4A (Ta), 41A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 837pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NTD4979N-35G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1786115 Stücke
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