NTGS1135PT1G Datenblatt
Technische Daten für NTGS1135PT1G
Artikelnummer : NTGS1135PT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 850mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 6V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 970mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-TSOP
Paket / fall : SOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NTGS1135PT1G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6656 Stücke
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