NTHD3102CT1G Datenblatt
Technische Daten für NTHD3102CT1G
Artikelnummer : NTHD3102CT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A, 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 10V
Leistung max : 1.1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package : ChipFET™
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NTHD3102CT1G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1776750 Stücke
Referenzpreis
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