NTHD4P02FT1G Datenblatt
Technische Daten für NTHD4P02FT1G
Artikelnummer : NTHD4P02FT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.2A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 10V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 1.1W (Tj)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : ChipFET™
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NTHD4P02FT1G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2544105 Stücke
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