NTJD1155LT1G Datenblatt
Technische Daten für NTJD1155LT1G
Artikelnummer : NTJD1155LT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 400mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NTJD1155LT1G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3653175 Stücke
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