NTJD4105CT1G Datenblatt
Technische Daten für NTJD4105CT1G
Artikelnummer : NTJD4105CT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V, 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 630mA, 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 46pF @ 20V
Leistung max : 270mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NTJD4105CT1G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3986415 Stücke
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