NTLJD2105LTBG Datenblatt
Technische Daten für NTLJD2105LTBG
Artikelnummer : NTLJD2105LTBG
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 520mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : 6-WDFN (2x2)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
26992 Stücke
Referenzpreis
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