NTLJD3115PT1G Datenblatt
Technische Daten für NTLJD3115PT1G
Artikelnummer : NTLJD3115PT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 531pF @ 10V
Leistung max : 710mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : 6-WDFN (2x2)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2162940 Stücke
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