NTMFS4H02NT1G Datenblatt
Technische Daten für NTMFS4H02NT1G
Artikelnummer : NTMFS4H02NT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 37A (Ta), 193A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2651pF @ 12V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.13W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
216880 Stücke
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