NTTS2P02R2G Datenblatt
Technische Daten für NTTS2P02R2G
Artikelnummer : NTTS2P02R2G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 16V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 780mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Micro8™
Paket / fall : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NTTS2P02R2G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9160 Stücke
Referenzpreis
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