NVD5803NT4G Datenblatt
Technische Daten für NVD5803NT4G
Artikelnummer : NVD5803NT4G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 85A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3220pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 83W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NVD5803NT4G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
67680 Stücke
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