NVMFS5113PLWFT1G Datenblatt
Technische Daten für NVMFS5113PLWFT1G
Artikelnummer : NVMFS5113PLWFT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta), 64A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 83nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4400pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
356345 Stücke
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