NVTR01P02LT1G Datenblatt
Technische Daten für NVTR01P02LT1G
Artikelnummer : NVTR01P02LT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.25V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.1nC @ 4V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 225pF @ 5V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 400mW (Ta)
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3964780 Stücke
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