NXPSC08650DJ Datenblatt
Technische Daten für NXPSC08650DJ
Artikelnummer : NXPSC08650DJ
Hersteller : WeEn Semiconductors
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Serie : -
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 8A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 230µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : DPAK
Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NXPSC08650DJ
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
26684 Stücke
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