PHM25NQ10T,518 Datenblatt
Technische Daten für PHM25NQ10T,518
Artikelnummer : PHM25NQ10T,518
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-HVSON (6x5)
Paket / fall : 8-VDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
53196 Stücke
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