PHN203,518 Datenblatt
Technische Daten für PHN203,518
Artikelnummer : PHN203,518
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 20V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-PHN203,518
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
25977 Stücke
Referenzpreis
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