PHT6NQ10T,135 Datenblatt
Technische Daten für PHT6NQ10T,135
Artikelnummer : PHT6NQ10T,135
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SC-73
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1408025 Stücke
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