PMCPB5530X,115 Datenblatt
Technische Daten für PMCPB5530X,115
Artikelnummer : PMCPB5530X,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : -
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta), 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 10V
Leistung max : 490mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : 6-HUSON-EP (2x2)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2611890 Stücke
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