PMCXB1000UEZ Datenblatt
Technische Daten für PMCXB1000UEZ
Artikelnummer : PMCXB1000UEZ
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel Complementary
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 590mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Leistung max : 285mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : DFN1010B-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-PMCXB1000UEZ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2304045 Stücke
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