PMGD175XN,115 Datenblatt
Technische Daten für PMGD175XN,115
Artikelnummer : PMGD175XN,115
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 900mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 75pF @ 15V
Leistung max : 390mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : 6-TSSOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
32648 Stücke
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