PMN28UN,165 Datenblatt
Technische Daten für PMN28UN,165
Artikelnummer : PMN28UN,165
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.75W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-TSOP
Paket / fall : SC-74, SOT-457
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-PMN28UN,165
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
24360 Stücke
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