PMXB75UPEZ Datenblatt
Technische Daten für PMXB75UPEZ
Artikelnummer : PMXB75UPEZ
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 608pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DFN1010D-3
Paket / fall : 3-XDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-PMXB75UPEZ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4743420 Stücke
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