PSMN0R9-30YLDX Datenblatt
Technische Daten für PSMN0R9-30YLDX
Artikelnummer : PSMN0R9-30YLDX
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 300A 56LFPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.87 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 109nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7668pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 291W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall : SOT-1023, 4-LFPAK
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 300A 56LFPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
477475 Stücke
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