PSMN6R0-25YLB,115 Datenblatt
Technische Daten für PSMN6R0-25YLB,115
Artikelnummer : PSMN6R0-25YLB,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 25V LFPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 73A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.95V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1099pF @ 12V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 58W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall : SC-100, SOT-669
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V LFPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1663660 Stücke
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