PSMN8R5-100PSFQ Datenblatt
Technische Daten für PSMN8R5-100PSFQ
Artikelnummer : PSMN8R5-100PSFQ
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 98A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 44.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3181pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 183W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
480915 Stücke
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