PSMN8R9-100BSEJ Datenblatt
Technische Daten für PSMN8R9-100BSEJ
Artikelnummer : PSMN8R9-100BSEJ
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 108A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 128nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7.11nF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 296W
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
53088 Stücke
Referenzpreis
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