QH8MA2TCR Datenblatt
Technische Daten für QH8MA2TCR
Artikelnummer : QH8MA2TCR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 365pF @ 10V
Leistung max : 1.25W
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package : TSMT8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-QH8MA2TCR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2900780 Stücke
Referenzpreis
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