QS6J11TR Datenblatt
Technische Daten für QS6J11TR
Artikelnummer : QS6J11TR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 6V
Leistung max : 600mW
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package : TSMT6 (SC-95)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-QS6J11TR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2186095 Stücke
Referenzpreis
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