R1RW0408DGE-2LR#B0 Datenblatt
Technische Daten für R1RW0408DGE-2LR#B0
Artikelnummer : R1RW0408DGE-2LR#B0
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : IC SRAM 4M FAST 36-SOJ
Serie : -
Teilestatus : Last Time Buy
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM
Speichergröße : 4Mb (512K x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 12ns
Zugriffszeit : 12ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package : 36-SOJ
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC SRAM 4M FAST 36-SOJ
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
18248 Stücke
Referenzpreis
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