R6004JND3TL1 Datenblatt
Technische Daten für R6004JND3TL1
Artikelnummer : R6004JND3TL1
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.43 Ohm @ 2A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 7V @ 450µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 15V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 260pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-R6004JND3TL1
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
637045 Stücke
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