R6012ANX PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Technische Daten für R6012ANX

Artikelnummer : R6012ANX

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 50W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220FM

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

R6012ANX

Interne Teilenummer

AX-R6012ANX

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

121770 Stücke

Referenzpreis

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Unser Preis

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R6012ANX Datenblatt

Technische Daten für R6012ANX

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