R6015ANJTL Datenblatt
Technische Daten für R6015ANJTL
Artikelnummer : R6015ANJTL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LPTS
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-R6015ANJTL
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
186585 Stücke
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