RAQ045P01TCR Datenblatt
Technische Daten für RAQ045P01TCR
Artikelnummer : RAQ045P01TCR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 6V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 600mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TSMT6 (SC-95)
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-RAQ045P01TCR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
20864 Stücke
Referenzpreis
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