RF4C050APTR Datenblatt
Technische Daten für RF4C050APTR
Artikelnummer : RF4C050APTR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5500pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : HUML2020L8
Paket / fall : 8-PowerUDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-RF4C050APTR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2452695 Stücke
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