RF4E100AJTCR Datenblatt
Technische Daten für RF4E100AJTCR
Artikelnummer : RF4E100AJTCR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.4 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1460pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : HUML2020L8
Paket / fall : 8-PowerUDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-RF4E100AJTCR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1482015 Stücke
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